▲ [삼성전자]

삼성전자(대표 전영현·노태문)가 고대역폭메모리(HBM4) 판매를 확대하고 내년 미국 테일러 공장에서 2나노 공정 기반 인공지능(AI) 반도체 양산을 본격화한다.

삼성전자는 29일 3분기 실적 발표를 통해 올해 반도체 사업에 76조8000억원을 투자할 계획이라고 밝혔다. 전사 시설투자 예정액은 84조4000억원이다.

삼성전자의 3분기 연결 매출은 195조2532억원, 영업이익은 107조4405억원으로 전년 동기 대비 각각 126.9%, 783.1% 증가했다.

반도체를 담당하는 디바이스솔루션(DS)부문 매출은 147조1000억원, 영업이익은 106조5000억원을 기록했다. 전사 영업이익의 약 99%를 차지한다.

메모리사업에서는 AI 반도체용 HBM4와 서버용 솔리드스테이트드라이브(SSD) 판매가 늘었다. 삼성전자는 HBM4 공급 확대와 서버용 메모리 수요 증가를 실적 개선 요인으로 설명했다.

파운드리사업에서는 HBM 베이스다이 매출과 첨단공정 제품 판매가 증가했다. 대형 데이터센터 운영사를 포함한 고객사를 대상으로 2나노 고성능컴퓨팅(HPC) 반도체 수주도 이어졌다.

삼성전자는 내년 미국 텍사스주 테일러 공장 가동과 2나노 AI·HPC 반도체 양산을 확대할 계획이다. 메모리사업에서도 HBM4 판매를 늘리고 차세대 제품인 HBM4E 양산을 추진한다.

올해 3분기 시설투자액은 29조원으로 전분기보다 12조2000억원 증가했다. 1~9월 누적 시설투자액은 56조9000억원이며, 이 가운데 DS부문에 52조8000억원을 투입했다.

한편 스마트폰과 가전 등을 담당하는 디바이스경험(DX)부문은 3분기 매출 52조1000억원, 영업손실 8000억원을 기록했다. 부품 원가 상승 등이 수익성에 영향을 미쳤다.

삼성전자는 3분기 보통주와 우선주에 각각 주당 4601원, 총 30조원의 현금배당을 결정했다.

토요경제 / 이슬기 기자 sgpress@sateconomy.co.kr 

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