▲ 삼성전자 반도체 생산단지 기흥캠퍼스 <사진=연합뉴스>

[토요경제 = 최영준 기자] 삼성전자가 반도체 ‘초격차’를 벌리기 위해 차세대 D램 공정에 메모리 업계 최초로 ‘드라이 레지스트’ 기술을 적용하는 방안을 검토하고 있다.

9일 반도체 업계에 따르면 삼성전자 반도체(DS) 부문은 10나노급 6세대 D램에 신기술인 드라이 레지스트를 도입하기 위해 자체 평가를 진행하고 있는 것으로 알려졌다.

드라이 레지스트는 통상적으로 노광 공정 전에 액체 감광액(PR)을 사용해야 하는 작업을 대신해 화학 반응으로 웨이퍼 위에 얇은 막을 쌓는 신기술이다.

공정에 신기술을 도입하게 되면 액체 PR을 바를 때보다 고르고 얇은 막을 만들 수 있고 초미세 회로를 더욱 정확하게 찍어낼 수 있으며, 소재도 덜 낭비한다는 장점이 있다.

삼성전자는 10나노급 6세대 D램을 구성하는 40~50개 층에서 한 개 회로층에 해당 기술을 적용하는 방안을 검토하고 있다고 전해진다. 또한 초미세 회로를 찍어내는 극자외선(EUV)용 PR로도 활용될 예정이다.

삼성전자는 드라이 레지스트를 업계에서 가장 먼저 개발한 ‘램리서치’와 협력하고 있는 것으로 알려졌다.

업계에서는 삼성전자가 드라이 레지스트를 양산 단계까지 끌고 올 경우 기존 노광 소재와 반도체 장비 생태계에 큰 변화가 생길 수 있다고 보고 있다. 실제로 안진호 한양대학교 연구부총장은 드라이 레지스트에 대해 더 작은 패턴을 높은 품질로 구현할 수 있어 차세대 반도체 공정에 필수적인 역할을 할 것이라고 예상했다.

삼성전자가 신기술을 10나노습 6세대 D램에 도입하는 것은 반도체 업계에서 삼성전자가 가진 ‘초격차’를 유지하기 위해서인 것으로 해석된다.

삼성전자는 지난 4월 미국에서 개최한 ‘멤콘 2024’ 학회에서 10나노습 6세대 D램을 연내 양산하겠다고 발표했다. 10나노급 6세대 제품 양산의 구체적인 계획을 공개한 회사는 삼성전자가 처음으로, 글로벌 D램 기술 리더십을 지켜나가겠다는 포부라고 볼 수 있다.

한편 10나노급 6세대 D램 양산은 SK하이닉스가 한발 앞선 상태다. SK하이닉스는 지난 8월 말 해당 제품의 개발을 완료해 양산 준비에 들어간다고 발표했다. 업계 3위인 마이크론도 10나노습 6세대 제품에 처음으로 EUV 노광 공정을 도입한다고 선언하면서 삼성전자와 SK하이닉스의 뒤를 쫓고 있다.

삼성전자는 이에 따라 생산성과 기술력을 한 번에 끌어 올리기 위해 새로운 소재와 공법을 찾고 있는 것으로 알려졌다.

토요경제 / 최영준 기자 cyj@sateconomy.co.kr 

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