▲ 삼성전자 서초사옥

삼성전자가 지난해 4분기 세계 D램 점유율 45.7%를 기록, 2016년 3분기 이후 7년 만에 최고치로 1위를 달성했다.

27일 시장조사업체인 옴디아에 따르면 삼성전자의 지난해 4분기 D램 점유율은 45.7%로 1위를 차지했다. 이는 지난 2016년 3분기 달성했던 48.2% 이후 가장 높은 수치다.

같은 기간 SK하이닉스는 31.7%로 2위, 마이크론은 19.1%로 3위를 기록했다.

삼성전자의 지난해 4분기 D램 매출액은 80억달러로 직전 3분기 52억1300만달러보다 53.5% 늘어났다. SK하이닉스 역시 같은 기간 매출액이 46억3400만달러에서 55억5500만달러로 19.9% 늘었다.

특히 DDR5와 고대역폭 메모리(HBM) 등 고부가 제품의 매출이 크게 상승한 것이 전체 매출 상승을 견인한 것으로 보인다.

한편, 글로벌 D램 시장 총 매출액은 지난해에 이어 올해도 전년보다 늘어날 것으로 관측된다.

삼성전자는 이날 업계 최초로 D램 칩을 12단까지 적축한 HBM3E(5세대 HBM) 개발에 성공했다. 해당 제품은 상반기 중 양산할 예정이며, 올해 HBM 생산량을 크게 늘리기 위해 D램 칩 적층에 필수 기술인 실리콘 관통 전극(TSV) 생산능력을 업계 최고 수준으로 늘릴 계획이다.

토요경제 / 최영준 기자 cyj@sateconomy.co.kr 

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